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BSZ086P03NS3E G详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：40A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.6 毫欧 @ 20A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.9V @ 105µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：57.5nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：4785pF @ 15V; 功率_最大：69W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-PowerTDFN; 供应商设备封装：PG-TSDSON-8（3.3x3.3）; 包装：Digi-Reel®

BSZ086P03NS3E G详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：40A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.6 毫欧 @ 20A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.9V @ 105µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：57.5nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：4785pF @ 15V; 功率_最大：69W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-PowerTDFN; 供应商设备封装：PG-TSDSON-8（3.3x3.3）; 包装：剪切带 (CT)

BSZ086P03NS3E G详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：40A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.6 毫欧 @ 20A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.9V @ 105µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：57.5nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：4785pF @ 15V; 功率_最大：69W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-PowerTDFN; 供应商设备封装：PG-TSDSON-8（3.3x3.3）; 包装：带卷 (TR)

C3216X7R1E105K/1.60
陶瓷 TDK Corporation 1206（3216 公制） CAP CER 1UF 25V 10% X7R 1206
C0805C820F5GACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 82PF 50V 1% NP0 0805
BTS3118N
PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 内部开关 Infineon Technologies TO-261-4，TO-261AA IC SWITCH N-CH LOW SIDE SOT223-4
BH28RB1WGUT-E2
PMIC - 稳压器 - 线性 Rohm Semiconductor 4-WFBGA，CSPBGA IC REG LDO 2.8V .15A 4-VCSP
BSZ086P03NS3E G
FET - 单 Infineon Technologies 8-PowerTDFN MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8
C2012SL1A683J
陶瓷 TDK Corporation 0805（2012 公制） CAP CER 0.068UF 10V 5% SL 0805
C1005C0G1H430J
陶瓷 TDK Corporation 0402（1005 公制） CAP CER 43PF 50V 5% NP0 0402
C3216X7R1E105K/1.60
陶瓷 TDK Corporation 1206（3216 公制） CAP CER 1UF 25V 10% X7R 1206
C0805C820G1GACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 82PF 100V 2% NP0 0805
BH29NB1WHFV-TR
PMIC - 稳压器 - 线性 Rohm Semiconductor SOT-665 IC REG LDO 2.9V .15A 5HVS0F
C1005C0G1H430J
陶瓷 TDK Corporation 0402（1005 公制） CAP CER 43PF 50V 5% NP0 0402
C2012SL1A683J
陶瓷 TDK Corporation 0805（2012 公制） CAP CER 0.068UF 10V 5% SL 0805
C0805C820G5GACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 82PF 50V 2% NP0 0805
C3216X7R1E105K/1.60
陶瓷 TDK Corporation 1206（3216 公制） CAP CER 1UF 25V 10% X7R 1206
BTS3160D
PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 内部开关 Infineon Technologies TO-252-6，DPak（5 引线 + 接片） IC SWITCH PWR LOSIDE TO252-5

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